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产品介绍
The YXD2301BNE1 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
订购信息
| 器件类目 | 产品型号 | 封装描述 | 包装数 | 是否在产 | 应用 | 丝印 |
| P沟道增强型MOSFET | YXD2301BNE1 |
SOT-23 |
3000/盘 |
是 |
车充、滑板车等
|
2301B |
极限参数
![2L(WTLIKLY`@N]]Z(JM4E$9](http://m.sztssd.com/resource/images/92f13ca84bb04d4c9e5091356c9b1fb8_6_copy.png "2L(WTLIKLY`@N]]Z(JM4E$9")
产品特性
RDS(ON)(Typ.)=170mΩ @VGS=-2.5V
RDS(ON)(Typ.)=130mΩ @VGS=-4.5V
应用范围
原装现货，技术选型
云仓现货，快速配送
品类齐全，性能优良
工厂直销，样品申请
荣誉资质
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