TheSN74CB3Q3125deviceisahigh-bandwidthFET busswitchthatusesachargepumptoelevatethe gatevoltageofthepasstransistor,thusprovidinga lowandflatON-stateresistance(ron).Thelowand flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.
器件类目 |
产品型号 |
封装描述 |
环境温度 |
应 用 | 丝 印 |
逻辑IC | SN74CB3Q3125RGYR |
VQFN14 |
–40~85℃ |
IP电话、光学模块、WiMAX和无线基础设施设备
|
BU125 |
原装现货,技术选型
云仓现货,快速配送
品类齐全,性能优良
工厂直销,样品申请
Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP系统级封装
英飞凌推出具有USB-C PD和升降压充电控制器的高压 MCU,简化嵌入式系统设计
2023(春季)亚洲充电展中国·深圳福田会展中心7号馆 伟诠PD3.1方案开发
Transphorm和伟诠电子合作发布整合式GaN系统级封装
通盛时代科技给您拜年啦
电源管理芯片IC厂家通盛为你介绍MOS管工作原理
MOS管厂家通盛介绍电源管理芯片IC的作用
通盛MOS管厂家锂电池充电管理芯片介绍