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ON安森美
  • NTJD5121NT1G封装SOT-363双N沟道MOS场效应管ON安森美
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NTJD5121NT1G封装SOT-363双N沟道MOS场效应管ON安森美
MOSFET – Power, Dual, N-Channel With ESD Protection, SC-88 60 V, 295 mA

通盛 产品介绍

Product index

MOSFET – Power, Dual, N-Channel With ESD Protection, SC-88 60 V, 295 mA

通盛 订购信息

ordering information
器件类目

产品型号

封装描述

环境温度

是否在产

应 用 丝 印
双N沟道 NTJD5121NT1G

SOT-363

−55~150℃

是

低侧负载开关、直流转换器(降压和增压电路)

TF

通盛示意图

Sketch Map

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通盛 产品特性

Product characteristics
Low RDS(on)
Low Gate Threshold
ESD Protected Gate
Low Input Capacitance

通盛 应用范围

Scope of application
20211025172331690301/resource/images/0271ad6d269742e39115180133fc8c97_4.jpg

UPS电源

20211025172331690301/resource/images/27563f15a57f466b89f647842e3fafd6_24.jpg

手机充电器

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电源适配器

蓝牙应用

多端口墙壁充电器

公司优势

Company advantage
正

正

原装现货，技术选型

快

快

云仓现货，快速配送

全

全

品类齐全，性能优良

省

省

工厂直销，样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

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Honorary qualification

荣誉资质

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