NCEP1580D TO-263-2L N沟道MOS场效应管新洁能-深圳通盛时代

原装现货厂家代理电源芯片、MOS、PD协议快充硬件开发服务商

通盛时代：十大品牌代理，现货销售

返回产品中心

MOSFET

NCEP1580D TO-263-2L N沟道MOS场效应管新洁能

The NCEP1580D uses Super Trench technology that isuniquely optimized to provide the most efficient highfrequency switching performance. Both conduction andswitching power losses are minimized due to an extremelylow combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal forhigh-frequency switching and synchronous rectification.

产品介绍

Product index

The NCEP1580D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.

订购信息

ordering information

器件类目

产品型号

封装描述

环境温度

是否在产

应用

丝印

N沟道

NCEP1580D

TO-263

-55 to 150℃

是

直流转换器高频开关和同步整流

NCEP1580D

测试电路

Test Circuit

20211025172331690301/resource/images/4e412740cc8d47abb822e7d16944347a_24.jpg

产品特性

Product characteristics

100% UIS tested
175 °C operating temperature

Very low on-resistance RDS(on)
Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)

应用范围

Scope of application

: UPS电源

: 手机充电器

: 电源适配器

: 多端口墙壁充电器

公司优势

Company advantage

: 正

原装现货，技术选型

: 快

云仓现货，快速配送

: 全

品类齐全，性能优良

: 省

工厂直销，样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

通盛仓库

Tongsheng warehouse

通盛仓库

荣誉资质

Honorary qualification

荣誉资质

Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP系统级封装

英飞凌推出具有USB-C PD和升降压充电控制器的高压 MCU，简化嵌入式系统设计

2023(春季)亚洲充电展中国·深圳福田会展中心7号馆伟诠PD3.1方案开发

Transphorm和伟诠电子合作发布整合式GaN系统级封装

通盛时代科技给您拜年啦

电源管理芯片IC厂家通盛为你介绍MOS管工作原理

MOS管厂家通盛介绍电源管理芯片IC的作用

通盛MOS管厂家锂电池充电管理芯片介绍