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MOSFET
  • NCE603S SOP8 P沟道MOS场效应管新洁能
  • NCE603S SOP8 P沟道MOS场效应管新洁能
NCE603S SOP8 P沟道MOS场效应管新洁能
The NCE603S uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge . The complementaryMOSFETs may be used to form a level shifted high sideswitch, and for a host of other applications.

通盛 产品介绍

Product index

The NCE603S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.

通盛 订购信息

ordering information
器件类目

产品型号

封装

环境温度

是否在产

应 用 丝 印
N沟道 NCE603S

SOP8

-55 to 150℃

驱动程序、固态继电器、直接逻辑接口

NCE603S

通盛极限参数

Limit parameter 

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通盛 产品特性

Product characteristics
High power and current handing capability
Surface mount package

通盛 应用范围

Scope of application

公司优势

Company advantage
正

原装现货,技术选型

快

云仓现货,快速配送

全

品类齐全,性能优良

省

工厂直销,样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

通盛仓库

Tongsheng warehouse

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通盛 荣誉资质

Honorary qualification

荣誉资质