MBRS130LT3G 封装SMB ON安森美肖特基二极管MOS管-深圳通盛时代

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ON安森美

MBRS130LT3G 封装SMB ON安森美肖特基二极管MOS管

Schottky Power Rectifier

产品介绍

Product index

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes, in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.

订购信息

ordering information

器件类目

产品型号

封装描述

环境温度

是否在产

应用

丝印

肖特基二极管

MBRS130LT3G

SMB

−65~+125 °C

是

笔记本CPU核心、高侧开关

P25

示意图

Sketch Map

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产品特性

Product characteristics

Highly Stable Oxide Passivated Junction
Small Compact Surface Mountable Package with J−Bend Leads

These are Pb−Free Devices
Very Low Forward Voltage Drop (0.395 Volts Max @ 1.0 A, TJ = 25°C)

应用范围

Scope of application

: UPS电源

: 手机充电器

: 电源适配器

: 多端口墙壁充电器

公司优势

Company advantage

: 正

原装现货，技术选型

: 快

云仓现货，快速配送

: 全

品类齐全，性能优良

: 省

工厂直销，样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

通盛仓库

Tongsheng warehouse

通盛仓库

荣誉资质

Honorary qualification

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