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  • FDC6327C封装SSOT-6安森美P沟道场效应管MOS管
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FDC6327C封装SSOT-6安森美P沟道场效应管MOS管
Dual N & P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

通盛 产品介绍

Product index

These N & P-Channel 2.5V specified MOSFETs areproduced using Fairchild Semiconductor's advancedPowerTrench process that has been especially tailoredto minimize on-state resistance and yet maintain lowgatecharge for superior switching performance. These devices have been designed to offerexceptional powerdissipation in a very small footprint for applications wherethe bigger more expensive SO-8 andTSSOP-8 packagesare impractical.

通盛 订购信息

ordering information
器件类目

产品型号

封装

环境温度

是否在产

应 用 丝 印
P沟道 FDC6327C

SSOT-6

-55~+150

DC/DC转换器、负荷开关、电动机驱动

3271

通盛示意图

Sketch Map

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通盛 产品特性

Product characteristics
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremelyIOW RDS(ON'
SuperSOTi-6 package: small footprint (72% smallerthan SO-8); low profile (1mm thick). 
Low gate charge.
N-Channel 2.7A, 20V. R DS(on)= 0.08Ω @ VGS= 4.5V                                           RDS(on)= 0.12Ω @ VGS= 2.5V
P-Channel -1.6A,-20V.RDS(on)= 0.17Ω @ VGS= -4.5V                                           RDS(on) 0.25Ω @ VGS- -2.5V

通盛 应用范围

Scope of application

公司优势

Company advantage
正

原装现货,技术选型

快

云仓现货,快速配送

全

品类齐全,性能优良

省

工厂直销,样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

通盛仓库

Tongsheng warehouse

通盛仓库

通盛 荣誉资质

Honorary qualification

荣誉资质