APG40N10D TO-252永源微40A 100V MOS场效应管-深圳通盛时代

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MOSFET DC降压芯片

APG40N10D TO-252永源微40A 100V MOS场效应管

The APG40N10D uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as aBattery protection or in other Switching application.

产品介绍

Product index

The APG40N10D uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as aBattery protection or in other Switching application.

订购信息

ordering information

器件类目	产品型号	封装描述	包装数	是否在产	应用	丝印
N沟道增强型	APG40N10D	TO-252	3000/盘	是	电源开关、高频电路不间断电源	APG40N10D

极限参数

Absolute Maximum Ratingss

20211025172331690301/resource/images/3ae76620f73249c485ab4ff487faaf3c_34.jpg

产品特性

Product characteristics

VDS=100V ID =40A
Gate source voltage±20V

Operation and storage temperature -55 to 150 ℃V
Power dissipation3), TC=25℃ 71W

应用范围

Scope of application

: 车充

: 滑板车

: 打火机

: 剃须刀

公司优势

Company advantage

: 正

原装现货，技术选型

: 快

云仓现货，快速配送

: 全

品类齐全，性能优良

: 省

工厂直销，样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

通盛仓库

Tongsheng warehouse

通盛仓库

荣誉资质

Honorary qualification

荣誉资质

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