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MOSFET
  • AP80N03D TO-252-3L N沟道场效应管MOSFET永源微01
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AP80N03D TO-252-3L N沟道场效应管MOSFET永源微01
The AP80N03D uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as aBattery protection or in other Switching application.

通盛 产品介绍

Product index

The AP80N03D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

通盛 订购信息

ordering information
器件类目

产品型号

封装描述

环境温度

是否在产

应 用 丝 印
N沟道 AP80N03D

TO-252-3L

-55 to 150 ℃

是

电池保护、负荷开关、不间断电源

AP80N03D

通盛示意图

Sketch Map

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通盛 产品特性

Product characteristics
VDS = 30V ID =80 A
RDS(ON) < 6mΩ @ VGS=10V

通盛 应用范围

Scope of application
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UPS电源

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手机充电器

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电源适配器

蓝牙应用

多端口墙壁充电器

公司优势

Company advantage
正

正

原装现货，技术选型

快

快

云仓现货，快速配送

全

全

品类齐全，性能优良

省

省

工厂直销，样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

通盛仓库

Tongsheng warehouse

通盛仓库

通盛 荣誉资质

Honorary qualification

荣誉资质

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