AP38N10D TO-252永源微38A 100V场效应MOS管-深圳通盛时代

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MOSFET DC降压芯片

AP38N10D TO-252永源微38A 100V场效应MOS管

The AP38N10D uses advanced APM-SGTⅠⅠ technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as a Battery protectionor in other Switching application.

产品介绍

Product index

The AP38N10D uses advanced APM-SGTⅠⅠ technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

订购信息

ordering information

器件类目	产品型号	封装描述	包装数	是否在产	应用	丝印
N沟道增强型	AP38N10D	TO-252	3000/盘	是	电源开关、高频电路不间断电源	AP38N10D

极限参数

Absolute Maximum Ratingss

20211025172331690301/resource/images/3ae76620f73249c485ab4ff487faaf3c_26.jpg

产品特性

Product characteristics

VDS = 100V ID =38A
VGS ±20V

Storage Temperature Range-55to150℃
TJ Operating Junction Temperature Range -55to150℃

应用范围

Scope of application

: 车充

: 滑板车

: 打火机

: 剃须刀

公司优势

Company advantage

: 正

原装现货，技术选型

: 快

云仓现货，快速配送

: 全

品类齐全，性能优良

: 省

工厂直销，样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

通盛仓库

Tongsheng warehouse

通盛仓库

荣誉资质

Honorary qualification

荣誉资质

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