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MOSFET
  • AP2301AI 封装SOT-23 AP永源微P沟道MOS场效应管
  • AP2301AI 封装SOT-23 AP永源微P沟道MOS场效应管
AP2301AI 封装SOT-23 AP永源微P沟道MOS场效应管
-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

通盛 产品介绍

Product index

The AP2301AI uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

通盛 订购信息

ordering information
器件类目

产品型号

封装

环境温度

是否在产

应 用 丝 印
P沟道 AP2301AI

SOT-23

-55~150℃

电池保护、负荷开关、不间断电源

A1SHB

通盛示意图

Sketch Map

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通盛 产品特性

Product characteristics
VDS = -20V ID =-3.3A
RDS(ON) < 80mΩ@ VGS=-4.5V

通盛 应用范围

Scope of application

公司优势

Company advantage
正

原装现货,技术选型

快

云仓现货,快速配送

全

品类齐全,性能优良

省

工厂直销,样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

通盛仓库

Tongsheng warehouse

通盛仓库

通盛 荣誉资质

Honorary qualification

荣誉资质