AP130N20MP TO-247-3 N沟道MOS场效应管永源微-深圳通盛时代

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MOSFET

AP130N20MP TO-247-3 N沟道MOS场效应管永源微

The AP130N20P is silicon N-channel EnhancedVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technologywhich reduce the conduction loss, improve switchingperformance and enhance the avalanche energy. The transistorcan be used in various power switching circuit for systemminiaturization and higher efficiency

产品介绍

Product index

The AP130N20P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency

订购信息

ordering information

器件类目

产品型号

封装描述

环境温度

是否在产

应用

丝印

N沟道

AP130N20MP

TO-247-3

-55~+150 ºC

是

功率放大器、电机驱动装置

AP130N20MP

示意图

Sketch Map

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产品特性

Product characteristics

VDS =200V,ID =130A

RDS(ON) <23mΩ@ VGS=10V

应用范围

Scope of application

: UPS电源

: 手机充电器

: 电源适配器

: 多端口墙壁充电器

公司优势

Company advantage

: 正

原装现货，技术选型

: 快

云仓现货，快速配送

: 全

品类齐全，性能优良

: 省

工厂直销，样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

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荣誉资质

Honorary qualification

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