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AOS/万代
  • AO4714 封装SOIC-8 AOS/万代30V N沟道MOS管场效应管
  • AO4714 封装SOIC-8 AOS/万代30V N沟道MOS管场效应管
  • AO4714 封装SOIC-8 AOS/万代30V N沟道MOS管场效应管
AO4714 封装SOIC-8 AOS/万代30V N沟道MOS管场效应管
AO4714 uses advanced trench technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, load switching and general purpose applications.

通盛 产品介绍

Product index

AO4714 uses advanced trench technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, load switching and general purpose applications.

通盛 订购信息

ordering information
器件类目

产品型号

封装

环境温度

是否在产

应 用 丝 印
N沟道 AO4714

SOIC-8

-55 to 150°C

笔记本CPU核心、高侧开关

4714

通盛示意图

Sketch Map

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通盛 产品特性

Product characteristics
VDS (V) = 30V
ID =20A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 4.7mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 6.7mΩ (VGS = 4.5V)

通盛 应用范围

Scope of application

公司优势

Company advantage
正

原装现货,技术选型

快

云仓现货,快速配送

全

品类齐全,性能优良

省

工厂直销,样品申请

技术团队

Technical team

技术团队

通盛仓库

Tongsheng warehouse

通盛仓库

通盛 荣誉资质

Honorary qualification

荣誉资质